S26HL02GTFGBHB053

该产品系列是高速CMOS NOR闪存设备，符合JEDEC JESD251扩展SPI规范。它采用存储技术，每个存储阵列单元存储两个数据位。提供多芯片封装选项，包括双芯片封装和四芯片封装。支持扇区架构选项，包括统一架构和混合架构。具有256或512字节的页编程缓冲区，以及1024字节的一次性可编程安全硅区域。支持HYPERBUS接口和传统SPI接口。HYPERBUS接口支持DDR模式，运行速度高达332 MBps。传统SPI接口支持SDR模式，运行速度高达21 MBps。设备支持默认从传统SPI或HYPERBUS接口启动。提供安全特性，包括符合ISO26262标准，达到ASIL B等级并准备支持ASIL D。采用架构提供高耐久性和长保持分区。接口CRC检测主机控制器与设备之间通信接口的错误。数据完整性CRC检测存储阵列中的错误。安全启动报告设备初始化失败，检测配置损坏并提供恢复选项。内置错误校正码可校正存储阵列数据中的单位错误并检测双位错误。提供扇区擦除状态指示器，用于擦除期间的掉电保护。保护特性包括基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护，以及通过CS信号方法和单独RESET引脚实现的硬件复位。支持串行闪存可发现参数来描述设备功能和特性。提供设备标识、制造商标识和标识。主阵列的最小编程-擦除周期为2，560，000次，4 KB扇区的最小编程-擦除周期为300，000次。最小数据保持时间为25年。工作电压范围为1.7V至2.0V以及2.7V至3.6V。提供多种温度等级，包括工业级、工业增强级以及符合AEC-Q100标准的汽车级。

• 采用存储技术，每个存储阵列单元存储两个数据位。
• 提供多芯片封装选项，包括双芯片封装和四芯片封装。
• 支持统一和混合扇区架构。
• 具有256或512字节的页编程缓冲区。
• 包含1024字节的一次性可编程安全硅区域。
• 支持HYPERBUS接口和传统SPI接口。
• 符合ISO26262标准，达到ASIL B等级并准备支持ASIL D。
• 采用架构提供高耐久性和长保持分区。
• 具备接口CRC和数据完整性CRC错误检测功能。
• 支持安全启动，可报告初始化失败和配置损坏。
• 内置错误校正码，可校正单位错误并检测双位错误。
• 提供扇区擦除状态指示器。
• 支持基于单个扇区的高级保护。
• 支持通过CS信号和单独RESET引脚的硬件复位。
• 支持串行闪存可发现参数。
• 主阵列最小编程-擦除周期为2，560，000次。
• 4 KB扇区最小编程-擦除周期为300，000次。
• 最小数据保持时间为25年。
• 工作电压范围为1.7V至2.0V以及2.7V至3.6V。
• 提供多种工业级和汽车级温度范围。