温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4559ADY-T1-E3-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4559ADY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C5878842
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.186975克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A；4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V；55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；3.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V；8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF；650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF；60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF；95pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%栅极电阻（Rg）与非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
相似推荐
其他推荐
- SI4848DY-T1-E3-VB
- SI4884DY-T1-E3-VB
- SI4946BEY-T1-E3-VB
- SI4947DY-T1-E3-VB
- SI6913DQ-T1-GE3-VB
- SI9430DY-T1-E3-VB
- SI9435DY-T1-E3-VB
- SIR462DP-T1-GE3-VB
- SMC3407S-TRG-VB
- SPN4436S8RGB-VB
- SPN9971T252RG-VB
- SQ9407EY-T1-GE3-VB
- SQD19P06-60L-GE3-VB
- SQD50P06-15L-GE3-VB
- ST2315S23RG-VB
- SUD15N15-95-E3&150V-VB
- SUD40N10-25-E3-VB
- SUD50N04-8M8P-E3
- SUD50N06-09L-E3-VB
- SUP85N03-3M6P-GE3-VB
- TN0200TS-T1-E3-VB