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FD6288T
FD6288T
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- 描述
- 三相高低侧功率驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FD6288T
- 商品编号
- C5804616
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.231839克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 8V~20V | |
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
FD6288T是一款三相高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V，该浮动通道需要额外的自举电路支持。另外，FD6288的高侧与低侧均包含有欠压保护功能。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为+250V
- 兼容3.3 /5V输入逻辑
- dV/dt耐受能力可达±50V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 栅极驱动电压范围8V至20V
- 高、低侧欠压锁定电路
- 高侧欠压锁定正向阈值7.1V
- 高侧欠压锁定负向阈值6.9V
- 低侧欠压锁定正向阈值7V
- 低侧欠压锁定负向阈值6.6V
- 防直通死区逻辑
- 死区时间设定200ns
- 芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/120ns
- 延迟匹配时间小于50ns
- 宽温度范围-40~125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力1.5A/1.8A
- 符合RoSH标准
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动