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IRS2186STRPBF-JSM

IRS2186STR

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描述: 高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: IRS2186STRPBF-JSM
商品编号: C5804625
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1081克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边；低边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	6ns

商品概述

高压高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具备两个独立传输通道。集成高、低侧欠压锁定与过压钳位等保护电路，拥有大电流脉冲输出能力。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，最大输出电流能力达4A，其浮动通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。采用SOIC8封装，工作温度范围为-40℃至125℃。

商品特性

自举工作的浮动通道
最高工作电压为700V
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
dv/dt耐受能力可达±50V/ns
负压耐受能力达-9V
栅极驱动电压范围：10V至20V
集成高、低侧欠压锁定电路
欠压锁定正向阈值8.9V，负向阈值8.2V
开通/关断传输延迟典型值均为130ns
高低侧延迟匹配
驱动电流能力：拉电流/灌电流均为4.0A
符合RoHS标准，采用SOIC8封装

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	150uA
	功能特性	使能关断