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PT5619-TX

三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

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描述: 三相高低侧功率驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: PT5619-TX
商品编号: C5804634
商品封装: TSSOP-20
包装方式: 编带
商品毛重: 0.118384克(g)

商品参数

商品概述

PT5619-TX是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 PT5619-TX逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。 PT5619-TX的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。 PT5619-TX为TSSOP20封装，可以在 -40 °C至125 °C温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为 +250V
兼容3.3 /5V输入逻辑
dV/dt耐受能力可达 ±50 V/ns
Vs负偏压能力达 -9V
栅极驱动电压范围8V至20V
高、低侧欠压锁定电路
- 高侧欠压锁定正向阈值7.1V
- 高侧欠压锁定负向阈值6.9V
- 低侧欠压锁定正向阈值7V
- 低侧欠压锁定负向阈值6.6V
防直通死区逻辑
- 死区时间设定200ns
芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/120ns
- 延迟匹配时间小于50ns
宽温度范围 -40~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.5A/1.8A
符合RoSH标准

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边；低边；三相
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	1.8A
	拉电流(IOH)	1.5A
	工作电压	8V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	30ns
	下降时间(tf)	30ns
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	230uA