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TF2113M-TR

700V 4A半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片

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描述: 单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: TF2113M-TR
商品编号: C5804623
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.559722克(g)

商品参数

商品概述

TF2113M是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用宽体SOIC16（W）封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮动通道
最高工作电压可达700V
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50V/nsec
Vs负偏压能力达 -9V
栅极驱动电范围10V - 20V
宽温度范围 -40~125°C
集成欠压锁定功能
周期性边缘触发关断逻辑
输入输出同相位
逻辑和电源地±5V偏移
芯片开通关断延时特性：Ton/Toff = 130ns/130ns，高低侧延时匹配
驱动电流能力：拉电流/灌电流 = 4.0A/4.0A
高、低侧欠压锁定电路：欠压锁定正向阈值8.9V，欠压锁定负向阈值8.2V
符合RoSH标准

应用领域

通用逆变器
交流和直流电源中的半桥和全桥转换器
用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度开关电源
太阳能逆变器、电机驱动器和UPS

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	25ns
	下降时间(tf)	17ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	120uA