商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款专为汽车应用设计的HEXFET功率MOSFET单元设计采用了最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计，这一优势为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他多种应用。
商品特性
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dv/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
应用领域
- 汽车