IXFA16N50P3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。UniFET Ultra FRFET™ MOSFET具有卓越的体二极管反向恢复性能。其反向恢复时间（trr）小于50纳秒，反向dv/dt抗扰度为20 V/纳秒，而普通平面MOSFET的反向恢复时间和反向dv/dt抗扰度分别超过200纳秒和4.5 V/纳秒。因此，在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中，UniFET Ultra FRFET MOSFET可以减少额外元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 2.5 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 1.5 Ω（最大值）
- 低栅极电荷（典型值12.8 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值9 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-LCD/LED电视-照明-不间断电源-交流-直流电源