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IXFR80N60P3实物图
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IXFR80N60P3

IXFR80N60P3

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商品型号
IXFR80N60P3
商品编号
C5743253
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)48A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))85mΩ@10V
耗散功率(Pd)540W
阈值电压(Vgs(th))3V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 直接敷铜基板(DCB)上的硅芯片
  • 隔离安装面
  • 低本征栅极电阻
  • 2500V 电气隔离
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 雪崩额定
  • 快速本征整流器
  • 低栅极电荷(QG)
  • 低导通电阻(RDS(on))
  • 低漏极到散热片电容
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

-直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-不间断电源-交流电机驱动器-高速功率开关应用

数据手册PDF