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IXTN8N150L实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTN8N150L

IXTN8N150L

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商品型号
IXTN8N150L
商品编号
C5743302
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)7.5A
导通电阻(RDS(on))3.6Ω@20V
耗散功率(Pd)545W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)250nC@15V
输入电容(Ciss)8nF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 专为线性操作设计
  • 国际标准封装
  • 模塑环氧树脂符合UL94 V-0阻燃等级
  • 在60°C时保证正向偏置安全工作区(FBSOA)
  • 带氮化铝隔离的miniBLOC封装
  • 低导通电阻(RDS(on))的HDMOSTTM工艺
  • 坚固的多晶硅栅单元结构
  • 低封装电感
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 可编程负载
  • 电流调节器
  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • DC斩波器
  • 温度和照明控制

数据手册PDF