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IXFT16N80P引脚图
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IXFT16N80P

IXFT16N80P

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商品型号
IXFT16N80P
商品编号
C5743259
商品封装
TO-268AA​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
耗散功率(Pd)460W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)71nC
输入电容(Ciss)4.6nF
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)330pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了每单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计师提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 D²PAK是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸最大达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中,它具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D²PAK适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。

商品特性

  • 快速恢复二极管
  • 具备非箝位感性开关(UIS)额定值
  • 采用国际标准封装
  • 封装电感低
  • 易于驱动和保护
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 功率密度高

数据手册PDF