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IXFK240N25X3实物图
  • IXFK240N25X3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFK240N25X3

X3-Class HiPerFET N沟道增强型功率MOSFET

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描述
特性:国际标准封装。 低RDS(ON)和Qa。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
商品型号
IXFK240N25X3
商品编号
C5743225
商品封装
TO-264​
包装方式
管装
商品毛重
12.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)240A
导通电阻(RDS(on))4.1mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)1.25kW
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)345nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

  • 最新沟槽功率AlphaMOS(αMOS LV)技术
  • 在4.5 VGS下具有极低的导通电阻RDS(on)
  • 低栅极电荷
  • 静电放电(ESD)保护
  • 符合RoHS标准且无卤

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低RDS(ON)和QG
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

-开关模式和谐振模式电源-DC-DC转换器-PFC电路-交流和直流电机驱动器-机器人技术和伺服控制

数据手册PDF