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IXFN50N120SK实物图
  • IXFN50N120SK商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN50N120SK

IXFN50N120SK

商品型号
IXFN50N120SK
商品编号
C5743239
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)48A
导通电阻(RDS(on))52mΩ@20V
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.8V
输入电容(Ciss)1.895nF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO - 220 FULLPAK封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料提供了高隔离能力,以及引脚与外部散热器之间的低热阻。这种隔离效果相当于在标准TO - 220产品中使用100微米的云母屏障。FULLPAK封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。

商品特性

  • 低电容高速开关
  • 低导通电阻(RDS(on))与高阻断电压
  • 易于并联且驱动简单
  • 抗闩锁
  • 真正的开尔文源极连接

应用领域

  • 太阳能逆变器
  • 高压直流-直流转换器
  • 电机驱动器
  • 开关模式电源
  • 不间断电源(UPS)
  • 电池充电器
  • 感应加热

数据手册PDF