IXFA8N85XHV
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。 NP二极管是一种超快速整流器，具有低正向压降和出色的开关性能。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 3.4 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 124 mΩ（典型值）
- 在栅源电压（VGS） = 5.0 V、漏极电流（ID） = 2.1 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 175 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷（典型值2.78 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值2.04 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-LED显示器背光源-LED电视背光源-LED照明-消费电器、DC-DC转换器(升压和降压)