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DMT10H9M9LCT
1个N沟道 耐压:100V 电流:101A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H9M9LCT
- 商品编号
- C5711749
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 101A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W；156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.309nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低输入电容
- 适用于电源应用的高BVdss额定值
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅表面处理;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-电机控制-背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能
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