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DMT12H060LFDF-7
1个N沟道 耐压:115V 电流:4.4A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT12H060LFDF-7
- 商品编号
- C5711753
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 115V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 475pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 0.6mm 高度——适用于薄型应用
- 4mm2 的 PCB 占位面积
- 低导通电阻
- ESD 保护
- 生产过程中进行 100% 无钳位电感开关 (UIS) 测试——确保终端应用更可靠、更耐用
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等