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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.515nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度达 +175℃—— 适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行 100% 非钳位电感开关(UIS)测试 —— 确保最终应用更可靠、更耐用
- 散热高效的封装 —— 降低应用运行温度
- 高转换效率
- 低RDS(ON)—— 最小化导通损耗
- 封装高度小于1.1mm —— 适用于轻薄型应用
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-开关应用-同步整流-DC-DC转换器