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DMT6012LPSW-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:13.1A 电流:31.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6012LPSW-13
- 商品编号
- C5711765
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.1A；31.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；17.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.522nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。NextPowerS3系列采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术，可实现高效、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试 — 确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低RDS(ON) — 最小化导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 可焊侧翼,便于光学检测
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-同步整流器-DC-DC转换器-电源管理