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DMTH10H003SPSW-13实物图
  • DMTH10H003SPSW-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH10H003SPSW-13

1个N沟道 耐压:100V 电流:166A

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描述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH10H003SPSW-13
商品编号
C5711772
商品封装
PowerDI5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.177148克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)166A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@10V
耗散功率(Pd)167W;2.6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)85nC@10V
输入电容(Ciss)5.542nF
反向传输电容(Crss)34pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 额定温度高达+175°C,适用于高温环境
  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
  • 低导通电阻(RDS(ON)),减少导通损耗
  • 低输入电容
  • 开关速度快
  • 可焊侧翼,便于光学检测
  • 无铅镀层,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,为“绿色”器件

应用领域

  • 发动机管理系统
  • 车身控制电子系统
  • DC-DC转换器

数据手册PDF