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MT57W2MH8CF-5

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT57W2MH8CF-5
商品编号: C5678602
商品封装: FBGA-165(13x15)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

美光的DDR独立I/O、同步、流水线突发SRAM采用高速、低功耗CMOS设计，运用先进的6T CMOS工艺。DDR架构包含两个独立的DDR（双倍数据速率）端口以访问存储阵列。读端口有专用数据输出支持读操作，写端口有专用数据输入支持写操作，这种架构无需高速总线切换。通过公共地址总线访问每个端口，读写地址在K输入时钟上升沿锁存。每个地址位置关联两个字，它们按顺序突发进入或离开设备。消除了总线切换周期，每个时钟周期可请求新的数据事务，比无分离输入输出总线的DDR SRAM请求速率更高。深度扩展通过在K上升沿接收的单个设备选择信号（LD#）实现。所有同步输入通过由K或K#输入时钟上升沿控制的寄存器。低电平有效字节写（BWx#）允许选择字节写或半字节写。写数据和字节写在K和K#上升沿寄存。每两个突发的寻址是固定且顺序的，从最低地址开始到最高地址结束。所有同步数据输出通过由输出时钟（若有C和C#，否则为K、K#）上升沿控制的输出寄存器。使用四个引脚实现JTAG测试功能，JTAG电路用于在测试模式下串行移入移出数据。SRAM由1.8V电源供电，所有输入输出与HSTL兼容，非常适合每个时钟周期需启动新事务的应用。

商品特性

用于精确输出数据定位的DLL电路
独立的读写数据端口
每个周期启动DDR读或写操作
时钟到有效数据时间快
全数据一致性，提供最新数据
用于低DDR事务大小的两节拍突发计数器
读写端口双倍数据速率操作
两个输入时钟（K和K#），仅在时钟上升沿实现精确DDR定时
两个输出时钟（C和C#），用于精确飞行时间和时钟偏移匹配，时钟和数据一起传输到接收设备
可选的回波时钟（CQ和CQ#），用于灵活的接收数据同步
单地址总线
简单的控制逻辑，便于深度扩展
内部自定时、寄存写操作
核心VDD = 1.8V (±0.1V)；I/O VDDQ = 1.5V至VDD (±0.1V) HSTL
具有微秒级重启功能的时钟停止能力
13mm×15mm，1mm间距，11×15网格FBGA封装
用户可编程阻抗输出
JTAG边界扫描

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	存储容量	18Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	边界扫描(JTAG)功能；内置延迟锁定环