- 引脚图
- 焊盘图
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MT58V512V36FF-8.5
MT58V512V36FF-8.5
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT58V512V36FF-8.5
- 商品编号
- C5678673
- 商品封装
- FBGA-165(13x15)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 18Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.375V~2.625V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
SyncBurst SRAM系列采用高速、低功耗CMOS设计，使用先进CMOS工艺制造。这些18Mb SyncBurst SRAM集成了1兆×18、512千×32或512千×36的SRAM核心，带有先进的同步外围电路和一个2位突发计数器。所有同步输入通过由正边沿触发单时钟输入控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、低有效芯片使能、两个用于轻松深度扩展的附加芯片使能、突发控制输入、字节写入使能和全局写入。异步输入包括输出使能、时钟和休眠使能。还有一个突发模式输入，用于选择交错或线性突发模式。数据输出由输出使能控制。写入周期的宽度可以为一到两个字节（x18）或一到四个字节（x32/x36），由写入控制输入决定。突发操作可以由地址状态处理器或地址状态控制器输入启动。随后的突发地址可以在突发推进输入的控制下内部生成。地址和写入控制在片内寄存，以简化写入周期，从而实现自定时写入周期。独立的字节使能允许写入单个字节。全局写入低电平会导致所有字节被写入。奇偶校验位仅在x18和x36版本中可用。
商品特性
- 快速的时钟和OE访问时间
- 单3.3V ±5%或2.5V ±5%电源供电
- 独立的3.3V ±5%或2.5V ±5%隔离输出缓冲电源(VDDQ)
- 休眠模式，用于降低待机功耗
- 独立的字节写入控制和全局写入
- 三个芯片使能，便于深度扩展和地址流水线
- 时钟控制和寄存的地址、数据输入/输出及控制信号
- 内部自定时写入周期
- 突发控制（交错或线性突发）
- 低电容总线负载
应用领域
- 适用于基于486、680x0和PowerPC等处理器的系统
- 适用于需要宽同步数据总线的通用系统
- 适用于16位、18位、32位、36位、64位和72位宽的通用应用