MT58V512V36DF-7.5
MT58V512V36DF-7.5
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT58V512V36DF-7.5
- 商品编号
- C5678669
- 商品封装
- FBGA-165(13x15)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 18Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.375V~2.625V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
该同步突发静态随机存取存储器系列采用高速、低功耗互补金属氧化物半导体设计,基于先进互补金属氧化物半导体工艺制造。这些18兆位同步突发静态随机存取存储器集成了1兆×18位、512千×32位或512千×36位的静态随机存取存储器核心,并配有先进的同步外围电路和一个2位突发计数器。所有同步输入均通过由正边沿触发的单一时钟输入控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、低电平有效芯片使能、两个用于简化深度扩展的附加芯片使能、突发控制输入、字节写使能和全局写使能。异步输入包括输出使能、时钟和休眠模式使能。还有一个突发模式输入,用于选择交错或线性突发模式。数据输出由输出使能控制。写周期宽度可为一到两个字节或一到四个字节,由写控制输入决定。突发操作可由地址状态处理器或地址状态控制器输入启动。后续突发地址可在突发推进输入的控制下内部生成。地址和写控制在片内寄存,以简化写周期,实现自定时写周期。独立的字节使能允许写入单个字节。全局写使能低电平时将写入所有字节。奇偶校验位仅在特定版本中可用。该器件包含一个额外的流水线使能寄存器,在执行取消选择时,可将输出缓冲器的关闭延迟一个额外周期。此特性允许深度扩展而不影响系统性能。该器件非常适合需要宽高速数据总线的流水线系统,以及通用的16位、18位、32位、36位、64位和72位宽应用。
商品特性
- 快速的时钟和输出使能访问时间
- 单路3.3V ±5% 或 2.5V ±5% 电源供电
- 独立的3.3V ±5% 或 2.5V ±5% 隔离输出缓冲器电源
- 休眠模式可降低待机功耗
- 公共数据输入和输出
- 独立的字节写控制和全局写控制
- 三个芯片使能,便于深度扩展和地址流水线操作
- 时钟控制的地址、数据输入/输出和控制信号寄存器
- 内部自定时写周期
- 突发控制
- 低电容总线负载
- 提供多种时序、配置、封装和工作温度范围选项
应用领域
- 奔腾和PowerPC流水线系统
- 通用16位应用
- 通用18位应用
- 通用32位应用
- 通用36位应用

