MT58L512L18FS-10
MT58L512L18FS-10
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT58L512L18FS-10
- 商品编号
- C5678646
- 商品封装
- TQFP-100(14x20.1)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 8Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3.135V~3.6V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
美光SyncBurst™ SRAM系列采用高速、低功耗CMOS设计，通过先进的CMOS工艺制造。美光的8Mb SyncBurst SRAM将512Kx18、256K x32或256K x36 SRAM内核与先进的同步外围电路和2位突发计数器集成在一起。所有同步输入通过由正边沿触发的单时钟输入（CLK）控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、低电平有效片选（CE#）、两个用于轻松扩展深度的额外片选（CE2#、CE2）、突发控制输入（ADSC#、ADSP#、ADV#）、字节写入使能（BWx#）和全局写入（GW#）。异步输入包括输出使能（OE#）、时钟（CLK）和休眠使能（ZZ）。还有一个突发模式输入（MODE）用于选择交错和线性突发模式。数据输出（Q）由OE#使能，也是异步的。写入周期可以是1到2字节宽（x18）或1到4字节宽（x32/x36），由写入控制输入控制。突发操作可以通过地址状态处理器（ADSP#）或地址状态控制器（ADSC#）输入启动。后续突发地址可以由突发推进输入（ADV#）控制在内部生成。地址和写入控制在片上寄存以简化写入周期，允许自定时写入周期。单个字节使能允许写入单个字节。美光的8Mb SyncBurst SRAM由+3.3V VDD电源供电，所有输入和输出与TTL兼容。用户可以选择3.3V或2.5V I/O版本。该器件非常适合486、奔腾、680x0和PowerPC系统以及受益于宽同步数据总线的系统，也适用于通用的16、18、32、36、64和72位宽应用。
商品特性
- 快速时钟和OE#访问时间
- 单+3.3V +0.3V/ -0.165V电源（VDD）
- 独立的+3.3V或+2.5V隔离输出缓冲电源（VDDQ）
- 具有降低功耗待机的休眠模式
- 通用数据输入和数据输出
- 独立字节写入控制和全局写入
- 三个片选用于简单的深度扩展和地址流水线
- 时钟控制和寄存的地址、数据I/O和控制信号
- 内部自定时写入周期
- 突发控制（交错或线性突发）
- 便携式应用的自动掉电功能
- 100引脚TQFP封装
- 165引脚FBGA封装
- 低电容总线负载
- 提供x18、x32和x36版本
应用领域
- 486系统
- 奔腾系统
- 680x0系统
- PowerPC系统
- 通用16、18、32、36、64和72位宽应用