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MT58L128V36P1T-7.5

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT58L128V36P1T-7.5
商品编号: C5678623
商品封装: TQFP-100(14x20.1)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

美光SyncBurst™ SRAM系列采用高速、低功耗CMOS设计，通过先进的CMOS工艺制造。美光的4Mb SyncBurst SRAM将256K×18、128K×32或128K×36的SRAM内核与先进的同步外围电路和2位突发计数器集成在一起。所有同步输入都通过由正边沿触发的单时钟输入（CLK）控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、低电平有效片选（CE#）、用于轻松扩展深度的两个额外片选（CE2、CE2#）、突发控制输入（ADSC#、ADSP#、ADV#）、字节写使能（BWx#）和全局写（GW#）。异步输入包括输出使能（OE#）、时钟（CLK）和休眠使能（ZZ）。还有一个突发模式输入（MODE），用于在交错和线性突发模式之间进行选择。数据输出（Q）由OE#使能，也是异步的。写周期可以是1到2字节宽（x18）或1到4字节宽（x32/x36），由写控制输入控制。突发操作可以通过地址状态处理器（ADSP#）或地址状态控制器（ADSC#）输入启动。后续的突发地址可以由突发推进输入（ADV#）控制在内部生成。地址和写控制在片上进行寄存，以简化写周期，实现自定时写周期。单个字节使能允许写入单个字节。在x18设备的写周期中，BWa#控制DQa引脚和DQPa；BWb#控制DQb引脚和DQPb。在x32和x36设备的写周期中，BWa#控制DQa引脚和DQPa；BWb#控制DQb引脚和DQPb；BWc#控制DQc引脚和DQPc；BWd#控制DQd引脚和DQPd。GW#为低电平时会写入所有字节。奇偶校验位仅在x18和x36版本中可用。该设备在读取周期中具有单周期取消选择功能。如果在读取周期后立即取消选择设备，输出总线将在时钟上升沿后的tKQHZ纳秒内进入高阻态。美光的4Mb SyncBurst SRAM由+3.3V VDD电源供电，所有输入和输出都与TTL兼容。用户可以选择3.3V或2.5V I/O版本。该设备非常适合奔腾和PowerPC流水线系统以及受益于非常宽、高速数据总线的系统。该设备也适用于通用的16位、18位、32位、36位、64位和72位宽的应用。

商品特性

快速时钟和OE#访问时间
单+3.3V（±0.3V/-0.165V）电源（VDD）
独立的+3.3V或+2.5V隔离输出缓冲电源（VDDQ）
具有用于降低功耗待机的休眠模式
单周期取消选择（与奔腾BSRAM兼容）
公共数据输入和数据输出
独立字节写控制和全局写
三个片选用于简单的深度扩展和地址流水线
时钟控制和寄存的地址、数据I/O和控制信号
内部自定时写周期
突发控制引脚（交错或线性突发）
便携式应用的自动掉电功能
165引脚FBGA封装
100引脚TQFP封装
低电容总线负载
提供x18、x32和x36版本

应用领域

奔腾流水线系统
PowerPC流水线系统
16位宽应用
18位宽应用
32位宽应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	4Mbit

	属性	参数值
	工作电压	3.135V~3.6V
	工作温度	0℃~+70℃