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DMP2900UT-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.5A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2900UT-7
- 商品编号
- C5673591
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@1.8V,0.15A | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 49pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代 MOSFET 的设计旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 小型表面贴装封装
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- DMN3300UQ 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合 AEC-Q101 标准，具备生产件批准程序 (PPAP) 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂制造。
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等