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DMP2016UFDF-13
1个P沟道 耐压:20V 电流:9.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2016UFDF-13
- 商品编号
- C5673579
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款第三代横向MOSFET（LD - MOS）经过精心设计，可将导通损耗降至最低，并实现超快速开关，非常适合高效功率传输。它采用芯片级封装（CSP），通过将低热阻与单位占位面积最小的RDS(ON)相结合来提高功率密度。
商品特性
- 0.6mm 厚度——适用于薄型应用
- 4mm2 的 PCB 占位面积
- 低栅极阈值电压
- 低导通电阻
- 栅极具备 ESD 保护
- 完全无铅且符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑的“绿色”器件
应用领域
- 电池管理应用
- 电源管理功能
- DC-DC 转换器