温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MD1210K6-G

高速双路MOSFET驱动器

SMT扩展库PCB免费打样

描述: MD1210是一款高速双MOSFET驱动器。它专为驱动高压P沟道和N沟道MOSFET而设计，适用于医学超声以及其他需要为容性负载提供高输出电流的应用。MD1210的高速输入级可在1.2V至5V的逻辑接口下工作，最佳工作输入信号范围为1.8V至3.3V
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: MD1210K6-G
商品编号: C621433
商品封装: QFN-12-EP(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.074克(g)

商品参数

商品概述

MD1210是一款高速双MOSFET驱动器。它专为驱动高压P沟道和N沟道MOSFET而设计，适用于医学超声及其他需要为容性负载提供高输出电流的应用。MD1210的高速输入级可在1.2V至5V逻辑接口下工作，最佳工作输入信号范围为1.8V至3.3V。采用自适应阈值电路将电平转换器的开关阈值设置为输入逻辑0和逻辑1电平的平均值。即使驱动器输出双极性信号，输入逻辑电平也可以以地为参考。电平转换器采用专有电路，可实现直流耦合和高速运行。 VDD1、VDD2和VH应连接到正电源电压，VSS1、VSS2和VL应连接到0V或地。GND引脚是逻辑控制输入信号的数字地。根据所使用的电源电压和负载电容，输出级能够提供高达±2A的峰值电流。 OE引脚具有双重功能。首先，其逻辑高电平用于计算通道输入电平转换器的阈值电压。其次，当OE为低电平时，输出被禁用，A输出为高电平，B输出为低电平。这有助于对可能串联在外部PMOS和NMOS晶体管对的栅极驱动电路中的交流耦合电容进行正确的预充电。

商品特性

带1000 pF负载时，上升和下降时间为6 ns
峰值输出源/灌电流为2A
输入与1.2V至5V CMOS兼容
单正电源电压为4.5V至13V
智能逻辑阈值
低抖动设计
两个匹配通道
输出可低于地电位摆动
低电感封装
散热增强型封装

应用领域

医学超声成像
压电换能器驱动器
无损检测
PIN二极管驱动器
CCD时钟驱动器/缓冲器
高速电平转换器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个5000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交2单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2A
	拉电流(IOH)	2A
	工作电压	4.5V~13V
	上升时间(tr)	6ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	6ns
	传播延迟 tpLH	7ns
	传播延迟 tpHL	7ns
	特性	-
	工作温度	-20℃~+125℃@(Tj)
	输入高电平(VIH)	3V~5V
	输入低电平(VIL)	0V~300mV
	静态电流(Iq)	550uA