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MIC5019YFT-TR
采用集成式电荷泵的超小型高端N沟道MOSFET驱动器
- 描述
- MIC5019 是一款带有集成电荷泵的高端 MOSFET 驱动器，旨在用于高端或低端应用中切换 N 沟道增强型 MOSFET 控制信号。MIC5019 的工作电源电压范围为 2.7V 至 9V，在 3V 电源下可产生 9.2V 的栅极电压，在 9V 电源下可产生 16V 的栅极电压。该器件的电源电流仅为 77μA，在关断模式下电源电流小于 1μA
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MIC5019YFT-TR
- 商品编号
- C621942
- 商品封装
- TQFN-4(1.2x1.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 工作电压 | 2.7V~9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 440us | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) | |
| 输入高电平(VIH) | 2.7V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 150nA |
商品概述
MIC5019是一款带有集成电荷泵的高端MOSFET驱动器，旨在用于高端或低端应用中切换N沟道增强型MOSFET控制信号。 MIC5019的工作电源电压范围为2.7V至9V，当电源电压为3V时可产生9.2V的栅极电压，电源电压为9V时可产生16V的栅极电压。该器件的电源电流低至77μA，关断模式下的电源电流小于1μA。 在高端配置中，MOSFET导通时其源极电压接近电源电压。为使MOSFET保持导通状态，MIC5019的输出将MOSFET的栅极电压驱动至高于电源电压。 MIC5019采用超小型4引脚1.2mm×1.2mm Thin QFN封装，额定结温范围为-40℃至+125℃。
商品特性
- 4引脚1.2mm×1.2mm Thin QFN封装
- 电源电压范围：+2.7V至+9V
- VDD = 9V时，栅极驱动电压为16V
- VDD = 2.7V时，栅极驱动电压为8V
- 可在低端和高端配置中工作
- VDD = 5V时，电源电流为150μA（典型值）
- 关断电源电流<1μA
- 结温范围：-40℃至+125℃
应用领域
- 负载开关
- 螺线管驱动器
- 电机驱动器