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MD1213K6-G

高速双MOSFET驱动器

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描述
MD1213是一款高速双MOSFET驱动器。它旨在驱动高压P沟道和N沟道MOSFET,适用于医疗超声及其他需要为容性负载提供高输出电流的应用。MD1213的高速输入级可在1.8V至5V的逻辑接口下工作,最佳工作输入信号范围为1.8V至3.3V
商品型号
MD1213K6-G
商品编号
C621434
商品封装
QFN-12-EP(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.154克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)2A
拉电流(IOH)2A
工作电压4.5V~13V
上升时间(tr)6ns
属性参数值
下降时间(tf)6ns
传播延迟 tpLH7ns
传播延迟 tpHL7ns
工作温度-40℃~+85℃
输入高电平(VIH)3V~5V
输入低电平(VIL)0V~300mV
静态电流(Iq)550uA

商品概述

MD1213是一款高速双MOSFET驱动器。它专为驱动高压P沟道和N沟道MOSFET而设计,适用于医学超声及其他需要为容性负载提供高输出电流的应用。MD1213的高速输入级可在1.8V至5V逻辑接口下工作,最佳工作输入信号范围为1.8V至3.3V。自适应阈值电路用于将电平转换器的开关阈值设置为输入逻辑0和逻辑1电平的平均值。即使驱动器输出双极性信号,输入逻辑电平也可以以地为参考。电平转换器采用专有电路,可实现直流耦合和高速运行。 MD1213的输出级具有独立的电源连接,使得输出信号的L和H电平可以独立于电路大部分所使用的电源电压进行选择。根据所使用的电源电压和负载电容,输出级能够提供高达±2A的峰值电流。 OE引脚具有双重功能。首先,其逻辑高电平用于计算通道输入电平转换器的阈值电压。其次,当OE为低电平时,输出被禁用,A输出为高电平,B输出为低电平。这有助于对可能串联在外部PMOS和NMOS晶体管对的栅极驱动电路中的交流耦合电容进行正确的预充电。

商品特性

  • 带1000 pF负载时,上升和下降时间为6 ns
  • 峰值输出源电流和灌电流为2A
  • 输入与1.8V至5V CMOS兼容
  • 总电源电压为4.5V至13V
  • 智能逻辑阈值
  • 低抖动设计
  • 两个匹配通道
  • 输出可低于地电位摆动
  • 低电感封装
  • 散热增强型封装

应用领域

  • 医学超声成像
  • 压电换能器驱动器
  • 无损检测
  • PIN二极管驱动器
  • CCD时钟驱动器/缓冲器
  • 高速电平转换器

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个5000个/圆盘

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