APT17F80S
1个N沟道 耐压:800V 电流:18A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT17F80S
- 商品编号
- C5569440
- 商品封装
- D3PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V,9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.757nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CDM22011-600LRFP是一款600伏N沟道MOSFET，专为高压、快速开关应用而设计，如功率因数校正（PFC）、照明和功率逆变器。这款UltraMOS™ MOSFET将高电压能力与超低导通电阻rDS(ON)、低阈值电压和低栅极电荷相结合，以实现最佳效率。
商品特性
- 高电压能力（VDS = 600 V）
- 低栅极电荷（典型值Qgs = 4.45 nC）
- 超低导通电阻rDS(ON)（典型值0.3Ω）
应用领域
- 功率因数校正
- 替代能源逆变器
- 固态照明（SSL）