商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 317A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.136kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 448nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 27.4nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 功率 MOS 7 个 MOSFET
- 低导通电阻 RDSon
- 低输入电容和密勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 非常坚固
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5 功率连接器
- 高度集成
应用领域
-交流开关-开关模式电源-不间断电源