商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 6个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 518nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 三相桥 |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利金属栅结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 功率半导体
- 超低导通电阻(RDSon)
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定值
- 高耐用性
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- 用于功率连接的引线框架
- 高度集成
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电机控制
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