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APTM100DAM90G实物图
  • APTM100DAM90G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APTM100DAM90G

1个N沟道 耐压:1kV 电流:78A

商品型号
APTM100DAM90G
商品编号
C5569621
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)78A
导通电阻(RDS(on))105mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)1.25kW
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)744nC@10V
输入电容(Ciss)20.7nF
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于电机控制和电源管理功能。

商品特性

  • 功率 MOS 7 个 MOSFET
  • 低导通电阻(RDSon)
  • 低输入电容和米勒电容
  • 低栅极电荷
  • 雪崩能量额定值
  • 坚固耐用
  • 开尔文源极,便于驱动
  • 极低杂散电感
  • 对称设计
  • M5 电源连接器
  • 高度集成

应用领域

  • 交流和直流电机控制
  • 开关模式电源
  • 功率因数校正

数据手册PDF