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APT39F60J实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APT39F60J

1个N沟道 耐压:600V 电流:42A

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商品型号
APT39F60J
商品编号
C5569504
商品封装
SOT-227B-4​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)42A
导通电阻(RDS(on))110mΩ@10V
耗散功率(Pd)480W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)280nC@10V
输入电容(Ciss)11.3nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

AO3162采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 该器件具备低 RDS(on)、Ciss 和 Crss,并保证有雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。

商品特性

  • 快速开关,低电磁干扰
  • 低反向恢复时间(trr),可靠性高
  • 超低Crss,增强抗噪性
  • 低栅极电荷
  • 有雪崩能量额定值
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 零电压开关(ZVS)移相桥及其他全桥电路
  • 半桥电路
  • 功率因数校正(PFC)及其他升压转换器
  • 降压转换器
  • 单开关和双开关正激电路
  • 反激电路

数据手册PDF