APT47F60J
1个N沟道 耐压:600V 电流:49A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT47F60J
- 商品编号
- C5569523
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,33A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 540W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 330nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.19nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 8°是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。这种“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复和具备高反向恢复 dv/dt 能力，在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中具有高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的 Crss / Ciss 比值，使其具有出色的抗噪性和低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制 di/dt，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。
商品特性
- 快速开关，低 EMI
- 低 trr，高可靠性
- 超低 Crss，增强抗噪性
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- ZVS 移相和其他全桥电路
- 半桥电路
- 功率因数校正（PFC）和其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路