温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DN1509K1-G
1个N沟道 耐压:90V 电流:300mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款低阈值、耗尽型、常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体 (MOS) 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管 (FET) 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- DN1509K1-G
- 商品编号
- C616264
- 商品封装
- SOT-23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 90V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@0V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 490mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
这款低阈值、耗尽型、常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。
垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
~~- 高输入阻抗-低输入电容-快速开关速度-低导通电阻-无二次击穿-低输入和输出泄漏电流
应用领域
- 常开开关-电池供电系统-转换器-线性放大器-恒流源-电信