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2N6660
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 是一种增强型（常开）晶体管，采用垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS FET 非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- 2N6660
- 商品编号
- C618544
- 商品封装
- TO-5-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
2N6660是一款增强型（常开）晶体管，采用垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOS FET）非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低输入电容（CISS）和快速开关速度
- 出色的热稳定性
- 集成源漏二极管
- 高输入阻抗和高增益
应用领域
- 电机控制
- 转换器
- 放大器
- 开关
- 电源电路
- 驱动器：继电器、锤击器、螺线管、灯、存储器、显示器、双极晶体管等