DN2535N3-G-P003
1个N沟道 耐压:350V 电流:120mA
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- DN2535N3-G-P003
- 商品编号
- C618551
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 25Ω@0V,120mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
超氧（Superoxide）是一款低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和超氧（Superox）成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿问题。 超氧（Supertex）的垂直 DMOS FET 非常适合各种开关和放大应用，尤其适用于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的场合。
商品特性
~~- 高输入阻抗-低输入电容-快速开关速度-低导通电阻-无二次击穿-低输入和输出泄漏电流
应用领域
- 常开开关-固态继电器-转换器-线性放大器-恒流源-电源电路-电信