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DN3535N8-G
1个N沟道 耐压:350V 电流:200mA
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- 描述
- 这款低阈值耗尽型（常开）晶体管采用了先进的垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）结构和Supertex久经考验的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，同时拥有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- DN3535N8-G
- 商品编号
- C616349
- 商品封装
- SOT-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款低阈值耗尽型（常开）晶体管采用了先进的垂直 DMOS 结构和 Supertex 成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 Supertex 的垂直 DMOS FET 非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
-高输入阻抗-低输入电容-快速开关速度-低导通电阻-无二次击穿-低输入和输出泄漏电流
应用领域
-常开开关-固态继电器-转换器-线性放大器-恒流源-电源电路-电信