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DN2625K4-G
1个N沟道 耐压:250V 电流:1.1A
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- 描述
- 是一种低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管（FET）非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- DN2625K4-G
- 商品编号
- C618542
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.04nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DN2625是一款低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。 DN2625DK6 - G采用8引脚双焊盘DFN封装，包含两个MOSFET。DN2625采用TO - 252 D - PAK封装，包含一个MOSFET。
商品特性
-极低的栅极阈值电压-专为源极驱动设计-低开关损耗-低有效输出电容-专为感性负载设计
应用领域
-医学超声波束形成-超声阵列聚焦发射机-压电换能器波形驱动器-高速任意波形发生器-常开开关-固态继电器-恒流源-电源电路