DN2450N8-G

1个N沟道耐压:500V 电流:230mA

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: DN2450N8-G
商品编号: C616346
商品封装: SOT-89-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.138克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	230mA
	导通电阻(RDS(on))	7Ω@0V
	耗散功率(Pd)	1.62W
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	-

商品概述

这款低阈值、耗尽型、常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体(DMOS)结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力,以及金属氧化物半导体(MOS)器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性,该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。垂直DMOS场效应晶体管(FET)非常适合各种开关和放大应用,这些应用通常需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

商品特性

-高输入阻抗-低输入电容-快速开关速度-低导通电阻-无二次击穿-低输入和输出泄漏电流

应用领域

-常开开关-电池供电系统-电压-电流转换器-恒流源-电流和电压限制器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	200pF
	反向传输电容(Crss)	25pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	40pF
	栅极电压(Vgs)	±20V