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2SK3663-T1-A-VB

1个N沟道 耐压:20V 电流:4A

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,具有良好的性能稳定性和可靠性。适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块,如电源开关、电动工具控制器和低压断路器等领域。SC70-3;N—Channel沟道,20V;4A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=±12V;Vth=0.6~1.3V;
商品型号
2SK3663-T1-A-VB
商品编号
C5456474
商品封装
SOT-323(SC-70)​
包装方式
编带
商品毛重
0.311克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)1.56W
阈值电压(Vgs(th))1.3V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

交货周期

订货7-9个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

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