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2SK3663-T1-A-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有良好的性能稳定性和可靠性。适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块，如电源开关、电动工具控制器和低压断路器等领域。SC70-3；N—Channel沟道,20V；4A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=±12V；Vth=0.6~1.3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK3663-T1-A-VB
- 商品编号
- C5456474
- 商品封装
- SOT-323(SC-70)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
2N70是一款高压MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-便携式设备-负载开关-电池开关-电机、继电器和螺线管的负载开关
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