2SK3663-T1-A-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,具有良好的性能稳定性和可靠性。适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块,如电源开关、电动工具控制器和低压断路器等领域。SC70-3;N—Channel沟道,20V;4A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=±12V;Vth=0.6~1.3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK3663-T1-A-VB
- 商品编号
- C5456474
- 商品封装
- SOT-323(SC-70)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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