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2SK3663-T1-A-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有良好的性能稳定性和可靠性。适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块，如电源开关、电动工具控制器和低压断路器等领域。SC70-3；N—Channel沟道,20V；4A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=±12V；Vth=0.6~1.3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
2SK3663-T1-A-VB商品编号
C5456474商品封装
SC70-3包装方式
编带
商品毛重
0.311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
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