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AGM40P65AP
1个P沟道 耐压:40V 电流:12A
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- 描述
- AGM40P65AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM40P65AP
- 商品编号
- C5447810
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V；72mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 600V、80A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 超快体二极管
- 高可靠性
- 100%进行UIS和隔离测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)
- 功率因数校正(PFC)