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AGM405MNA
2个N沟道 耐压:40V 电流:45A
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- 描述
- AGM405MNA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM405MNA
- 商品编号
- C5447811
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 685pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品特性
- -30V，-90A
- 漏源导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ，栅源电压VGS = -10 V时，典型值为5.8 mΩ
- 漏源导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ，栅源电压VGS = -4.5 V时，典型值为9 mΩ
- 先进沟槽技术
- 符合无铅产品要求
- 栅极电荷低
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理