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CEC3257
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 12.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.385nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- -30V、-17A，在VGS = -10 V时，RDS(ON) = 25 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 32 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
- DFN3*3