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NSV1C200MZ4T1G
NSV1C200MZ4T1G
- 描述
- 低饱和压双极结晶体管 (BJT) 是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSV1C200MZ4T1G
- 商品编号
- C604346
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 120@500mA,2V | |
| 特征频率(fT) | 120MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 220mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 8000 个)个
起订量：8000 个1000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
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