- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSV9435T1G
NSV9435T1G
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- 描述
- 该数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的晶体管，该网络由两个电阻组成：一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。因为将各个组件集成到一个器件内，因此无需这些组件，可以降低系统成本和板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSV9435T1G
- 商品编号
- C604360
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 耗散功率(Pd) | 720mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 125 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | - | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 550mV | |
| 特征频率(fT) | 110MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 集电极-发射极维持电压 - VCEO(sus) = 30 Vdc（最小值），@ IC = 10 mA
- 高直流电流增益 - hFE = 125（最小值），@ IC = 0.8 Adc；hFE = 90（最小值），@ IC = 3.0 Adc
- 低集电极-发射极饱和电压 - VCE(sat) = 0.275 Vdc（最大值），@ IC = 1.2 Adc；VCE(sat) = 0.55 Vdc（最大值），@ IC = 3.0 Adc
- SOT - 223 表面贴装封装
- ESD 等级 - 人体模型：1B 类
- 通过 AEC - Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力
- NSV 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合 RoHS 标准