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NSVBCP69T1G实物图
  • NSVBCP69T1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NSVBCP69T1G

NSVBCP69T1G

描述
该 PNP 双极晶体管适用于低电压、高电流应用。此器件采用 SOT-223-4 封装,适用于中等功率表面贴装应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NSVBCP69T1G
商品编号
C604364
商品封装
SOT-223-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.202克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)20V
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
直流电流增益(hFE)85@500mA,1V
特征频率(fT)60MHz
集电极截止电流(Icbo)10uA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV@1A,100mA
工作温度-65℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF

交货周期

订货65-67个工作日

购买数量

(1000个/圆盘,最小起订量 16000 个)
起订量:16000 个1000个/圆盘

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