温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NCV8852DR2G

可调输出非同步降压控制器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: NCV8852是一款可调输出非同步降压控制器,用于驱动外部P沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制,具有内部斜率补偿。保护功能包括内部软启动、欠压锁定、逐周期电流限制、hiccup模式过流保护和短路保护。其他特性包括可编程开关频率、低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCV8852DR2G
商品编号: C604100
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.215克(g)

商品参数

商品概述

NCV8852是一款可调输出的非同步降压控制器，可驱动外部P沟道MOSFET。该器件采用带内部斜率补偿的峰值电流模式控制。IC集成了一个内部稳压器，为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部软启动、欠压锁定、逐周期电流限制、打嗝模式过流保护和打嗝模式短路保护。其他特性包括：可编程开关频率、低静态电流睡眠模式和外部可同步开关频率。

商品特性

超低静态电流（Iq）睡眠模式
可调节输出，参考电压为800 mV ±2.0%
宽输入电压范围3.1至44 V，具备欠压锁定（UVLO）功能
可编程开关频率
内部软启动（SS）
固定频率峰值电流模式控制
内部斜率补偿人工斜坡
内部高端PMOS栅极驱动器
稳压栅极驱动电流源
外部频率同步（SYNC）
可编程逐周期电流限制（CL）
打嗝模式过流保护（OCP）
输出短路打嗝保护（SCP）
节省空间的8引脚SOIC封装
适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用的NCV前缀；符合AEC - Q100标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
这些器件为无铅产品，符合RoHS标准

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个2500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交0单

	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	功能类型	降压型
	工作电压	3.1V~44V
	输出电压	-
	开关频率	100kHz~500kHz
	工作温度	-40℃~+150℃

	属性	参数值
	同步整流	否
	输出通道数	1
	拓扑结构	降压式
	静态电流(Iq)	-
	开关管(内置/外置)	外置
	输出类型	可调