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CMSC3006
1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- Cmos公司的先进功率MOSFET为设计师提供了快速开关和低导通电阻的最佳组合。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC3006
- 商品编号
- C5444318
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品特性
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 优异的Qg x RDS(ON)乘积（品质因数）
- 无铅（Pb）且无卤
应用领域
- 电机控制与驱动
- 负载开关